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Pesquisadores da Universidade de Rice (EUA) estão desenvolvendo uma nova forma de fabricar a memória RRAM (Resistive random-access memory). Esse novo processo de fabricação pode oferecer até 1 TB de armazenamento em dispositivos móveis com esse tipo de memória.

A memória RRAM permite (na teoria) aumentar a quantidade de informação armazenada em um único chip, que também pode operar até 100 vezes mais rápido que uma memória flash. Várias empresas estão desenvolvendo esse tipo de memória, porém, o principal obstáculo está na sua cara e complexa fabricação. Os pesquisadores descobriram uma forma de tornar essa fabricação mais simples e barata.

O processo consiste em utilizar várias capas de dióxido de silício com pequenos poros entre as capas de matais. Conforme se aplica a tensão elétrica do sistema, o metal acaba migrando para os poros do dióxido de silício, criando um chip de memória estável, mais barato de produzir e com maior capacidade de armazenamento de dados.

Com essa nova técnica de fabricação da RRAM, temos uma porta aberta, mas com muitos obstáculos a serem vencidos. Por exemplo, maior duração desse chip (número de vezes que podemos gravar ou regravar dados). É um passo importante, mas ainda longe de se tornar um produto definitivo em nossos tablets e smartphones.

Via Rice University