samsung4g20nm

Apesar dos muitos clamores por parte dos usuários, que imploram por uma nova geração de baterias com maior capacidade, os fabricantes seguem dando vida a novos componentes que pouco podem aumentar a autonomia de uso dos dispositivos (bom, pelo menos não de maneira direta). No caso da Samsung, a sua última criação está relacionada às memórias RAM.

A fabricante sul-coreana iniciou a produção dos modelos LPDD3 DRAM de 4 Gb, fabricados com tecnologia de 20 nanômetros. Com essas novas unidades, a fabricante garante que eles conseguem velocidade de 2.133 Mbps por pin (oo 800 Mbps a mais que o seu predecessor), o que deve reduzir (na teoria) em até 20% o consumo geral de recursos do dispositivo.

O mais interessante disso tudo é que quatro dessas novas memórias oferecerão um total de 2 GB em apenas 0.8 mm de espessura, permitindo que a tendência de smartphones e tablets cada vez mais finos continue.

A Samsung não informou quando essas memórias vão chegar ao mercado, muito menos quais serão os primeiros dispositivos que contarão com essa nova tecnologia. Mesmo assim, ainda prefiro baterias maiores.

Via Samsung