samsung_s6_edge_feature

A memória flash UFS 2.0 foi uma das grandes exclusividades da Samsung até agora, e o recurso está presente nos novos Galaxy S6 e Galaxy S6 Edge. Esse tipo de memória consegue velocidades de leitura e de gravação de até 350 MB/s e 150 MB/s respectivamente. Agora, a empresa SK Hynix está em negociações para começar a fabricar modelos de 64 GB para todos os fabricantes de dispositivos móveis que estão interessados.

É uma boa notícia, pois abre a possibilidade de oferta de uma maior variedade de dispositivos equipados com esse novo tipo de memória que alcança os 32 mil IOPS de leitura-gravação aleatória, ou seja, o triplo do que alcança o eMMC 5.0.

Como era de se esperar, a implantação dessa nova memória flash será feita de forma progressiva, começando pelos modelos top de linha das empresas mais importantes, e estendendo-se progressivamente para outros terminais.

De acordo com dados da SK Hynix, em 2019, a fatia de mercado das memórias UFS 2.0 será de 49%.

Via PhoneArena